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序
序言
绪论
第一章 温场和热量传输
第一节 炉膛内温场的描述
一、温场
二、温场的实验描述
三、稳态温场
第二节 从能量守恒原理讨论晶体生长工艺
一、能量守恒方程
二、晶体直径的控制
三、晶体的极限生长速率
四、放肩阶段
五、晶体旋转对直径的影响
第三节 能量守恒的微分形式和一维稳态温场
一、温场的数学描述
二、能量守恒的微分形式
三、一维稳态温场
第四节 晶体中的温场
第五节 坩埚中液面位置及辐射屏对温场的影响
一、坩埚中液面位置对温场的影响
二、辐射屏对晶体中温场的影响
第六节 晶体生长过程中直径的惯性和直径响应方程
一、直径的惯性
二、温度边界层
三、直径响应方程
*第七节 非稳温场和温度波
第二章 溶质分凝和质量传输
第一节 固溶体和溶液
第二节 溶液的凝固和平衡分凝系数
第三节 溶质浓度场和溶质守恒
第四节 溶质保守系统中的浓度场
一、属于溶质保守系统的生长方法
二、在准静态生长过程中的溶质分布[2]
三、溶质的扩散效应[3]
四、对流对溶质分凝的影响及有效分凝系数[5]
五、直拉法生长中晶体旋转对溶质分凝的影响[5]
第五节 溶质非保守系统中的浓度场
一、属于溶质非保守系统的生长方法
二、溶质非保守系统的分凝理论——区熔理论[2]
三、扩散占优势的溶质边界层与熔区的相似性
四、多次区熔的极限分布[7]
五、温度梯度区域熔化——TGZM[7]
第六节 直拉法生长过程中的溶质均化[10]
一、计划速率法[5]，[9]
二、溶液稀释法[11]
三、溶液补充法[12]-[13]
四、层熔法[14]
第三章 热量、质量的混合传输
第一节 混合传输
第二节 实验模拟和数字模拟
一、实验模拟
二、数字模拟
第三节 相似流动
一、相似流动——雷诺数和弗鲁得数[5]
二、模拟实验的设计
第四节 坩埚中的自然对流
一、非等温系统和非等浓度系统中的浮力
二、水平温差和浓度差引起的自然对流——格拉斯霍夫数
三、铅直温差和浓度差引起的自然对流——瑞利数
第五节 混合传输的相似性原理
第六节 生长过程中液流的转变与界面翻转
一、自然对流向强迫对流的转变
二、界面翻转
第七节 旋转流体中的液流
*一、旋转流体的描述
二、泰勒-普劳德曼定理
三、直拉法生长系统中的泰勒柱
第八节 直拉法生长系统中熔体的区域近似
第九节 旋转晶体下的混合传输
一、旋转圆盘下流体的速度场
二、旋转圆盘下的温场和浓度场
三、旋转晶体下的边界层和边界层近似
第十节 同轴旋转柱面间的混合传输
一、同轴旋转柱面间的速度场
*二、同轴旋转柱面间的温度场
三、同轴旋转柱面间液体的非旋转对称流动
附录一 不同坐标系中的连续性方程
附录二 不同坐标系中动量传输方程(1)
附录三 不同坐标系中的热传输方程
第四章 生长速率起伏和生长层
第一节 生长层（条纹）概述
一、晶体性能与溶质浓度的起伏
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二、溶质浓度起伏的原因
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三、生长层的形态
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第二节 生长界面的标记技术
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一、机械振动方法引入的生长层[3]
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二、加热功率起伏引起的生长层[5]
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三、利用珀耳帖效应引入生长层[8]
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四、生长界面标记技术的应用
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第三节 旋转性生长层
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一、旋转性生长层的形成及其特征
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二、旋转性表面条纹
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三、螺蜷形晶体和螺蜷式分凝
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四、利用旋转性生长层制备铁电畴超晶格
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第四节 生长层形成的理论分析
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一、生长速率关于界面温度起伏的响应
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二、生长速率关于熔体中温度起伏的响应
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*三、溶质浓度关于生长速率阶跃的响应[26]
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四、溶质浓度关于生长速率周期性起伏的响应
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五、生长速率起伏对有效分凝系数的影响
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六、浓度响应的“截止频率”
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第五节 坩埚中液流引起的温度起伏
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一、液流状态与温度起伏
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二、浮力对流体动力学稳定性的影响
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三、离心力对流体动力学稳定性的影响
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四、表面张力对流体动力学稳定性的影响
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第六节 液流引起温度起伏的抑制
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一、洛伦兹力场的应用
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二、科里奥利力场的应用
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附录一 生长速率阶跃的条件下扩散方程的解
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第五章 界面稳定性和组分过冷
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第一节 界面稳定性的定性描述
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一、温度梯度对界面稳定性的影响
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二、浓度梯度对界面稳定性的影响
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三、界面能对界面稳定性的影响
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第二节 组分过冷形态学
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一、胞状界面
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二、胞状组织
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*三、各向异性对形态的影响
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四、间歇式胞状组织
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五、溶质尾迹
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六、研究组分过冷形态学的实验方法
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第三节 产生组分过冷的临界条件
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一、工艺参量与物性参量的影响
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二、对流传输的影响
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第四节 组分过热（熔化界面的稳定性）
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*第五节 界面稳定性的动力学理论
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一、干扰
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二、干扰方程（perturbation equations）及其解
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三、边值条件和的表达式
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四、干扰的波长对界面稳定性的影响
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五、不同因素对界面稳定性的影响
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六、界面稳定性的动力学理论和组分过冷
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七、生长的各向异性和界面过冷对稳定性的影响
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八、理论和实验对比
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第六节 枝晶生长
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一、概述
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*二、球面的不稳定性与枝晶生长
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三、主干的轴向生长速率
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四、分枝的产生
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第六章 相平衡和相图
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第一节 单元系的复相平衡
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一、单元系统中的相平衡条件
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二、理想气体的化学势
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三、相平衡曲线
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四、金刚石相图
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五、相变潜热
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六、克拉珀龙-克劳修斯方程
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七、临界点
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第二节 多元系的复相平衡
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一、不同成分相的化学势
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二、多元系的复相平衡
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三、相律
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四、稀溶液中各组元的化学势
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五、平衡分凝系数的热力学意义
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六、溶液凝固点与溶质浓度的关系
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第三节 二元相图
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一、平衡曲线和特征点
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二、同形系统
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三、共晶系统
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四、包晶系统
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五、偏晶系统
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六、复杂的二元相图
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*第四节 三元相图
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第七章 界面的宏观性质与微观结构
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第一节 界面能和界面张力
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一、界面能和界面张力
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二、固体的界面张力
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第二节 界面交接
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一、接触角
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二、界面交接处的力学平衡
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第三节 弯曲界面的相平衡
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一、弯曲界面的力学平衡——界面压强
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二、弯曲界面的相平衡
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第四节 弯月面与直拉法生长
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一、直拉法生长中的弯月面
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二、弯月面提升的液重
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三、标志等径生长的弯月面倾角
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第五节 界面曲率对平衡参量的影响
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一、界面曲率对凝固点的影响
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二、界面曲率对饱和气压的影响
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三、界面曲率对饱和浓度的影响
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第六节 晶体的平衡形状
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一、界面能极图与晶体的平衡形状
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二、乌耳夫定理的适用范围
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三、奇异面、非奇异面和邻位面
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第七节 邻位面与台阶的平衡结构
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一、邻位面的台阶化
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*二、邻位面台阶化的论证
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三、台阶的热力学性质
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四、台阶的平衡结构
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第八节 界面相变熵和界面的平衡结构
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一、光滑界面与粗糙界面——杰克逊界面理论[17]
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二、熔化熵
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三、界面相变熵与环境相
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四、温度对界面平衡结构的影响
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五、弥散界面——特姆金多层界面模型
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第八章 成核
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第一节 相变驱动力
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一、相变驱动力的一般表达式
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二、气相生长系统的相变驱动力
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三、溶液生长系统中的相变驱动力
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四、熔体生长系统中的相变驱动力
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第二节 亚稳态
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第三节 均匀成核
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一、晶核的形成能和临界尺寸
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二、界面微观结构的影响
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三、复相起伏和晶体的成核率
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第四节 非均匀成核
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一、平衬底上球冠核的形成[4]
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*二、平衬底上表面凹陷的影响
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*三、衬底上的凹角成核
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*四、悬浮粒子上的成核
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第五节 界面失配对成核行为的影响
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一、共格界面、半共格界面和非共格界面
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二、错合度引起的弹性畸变和错配位错
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三、错配位错对界面能的贡献
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四、界面失配对成核行为的影响
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第六节 晶体生长系统中成核率的控制
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第九章 生长动力学
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第一节 邻位面生长——台阶动力学
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一、界面上分子的势能
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二、面扩散
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三、台阶动力学——面扩散控制
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*四、面扩散方程及其解
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*五、台阶动力学——体扩散控制
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六、邻位面生长动力学
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第二节 奇异面的生长
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一、二维成核生长机制
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二、螺位错生长机制
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三、凹角生长机制
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第三节 粗糙界面的生长
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第四节 晶体生长动力学的统一理论
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一、特姆金的工作[28]
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二、卡恩的生长动力学统一理论[29]
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*第五节 晶体生长的运动学理论
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一、台阶列和邻位面的运动方程
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二、弗兰克第一运动学定理
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三、台阶聚并
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四、弗兰克第二运动学定理
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五、生长过程中晶体形状的演变
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六、运动学理论的实验检验
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第六节 晶体生长形态学
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一、晶体生长速率的各向异性
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二、自由生长系统中的晶体形态
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三、周期键链理论
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四、强制生长系统
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五、小面生长
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第十章 生长过程中位错的产生、延伸和分布*
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第一节 位错的成核和增殖
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一、弹性应力场中位错的成核
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二、渗透力作用下位错成核
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三、位错增殖
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第二节 位错延伸
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一、位错延伸的克拉珀定理
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二、各向同性介质中位错的延伸
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三、各向异性介质中位错的能量因子
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四、溶液生长中位错的走向（以KDP为例）
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五、熔体生长中位错的延伸（以GGG为例）
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第三节 晶体中位错组态和分布
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一、热弹应力场与位错分布
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二、弹性应力的消弛和位错组态与分布
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三、位错延伸引起的位错分布
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四、体内压印产生的位错组态
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主要参考文献
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一、重要论文
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二、参考书和文集
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索引
更新时间：2020-09-08 18:15:57
完结共271章
倒序